404 Not Found

2.0-2.5 ct HPHT DEF রঙিন খাঁটি হীরা ল্যাব তৈরি হীরা বিক্রয়ের জন্য অপরিশোধিত পাথর

এইচপিএইচটি বনাম সিভিডি?

আমরা জানি যে ল্যাবরেটরিতে চাষ করা হীরা উৎপাদনের জন্য দুটি পদ্ধতি আছে, উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ চাপ এবং সিভিডি। এই দুটি পদ্ধতির মধ্যে কোনটি চাষকৃত হীরা জন্য ভাল?

এইচপিএইচটি প্রযুক্তিঃ উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ চাপ প্রযুক্তি সম্পূর্ণরূপে প্রাকৃতিক হীরা বৃদ্ধি প্রক্রিয়া অনুকরণ,মাটিতে কার্বন উপাদান স্তর প্রতিক্রিয়া পুনরুত্পাদন এবং হীরা মধ্যে গ্রাফাইট রূপান্তর.
এইচপিএইচটি পদ্ধতি (তাপমাত্রা 1 400 °C -1 700 °C, চাপ 5.2GPa-5.6GPa) ডায়মন্ড এমন একটি পরিবেশকে বোঝায় যা একটি হেক্সাড্রাল উচ্চ চাপ মেশিনে প্রাকৃতিক হীরা বৃদ্ধি অনুকরণ করে, গ্রাফাইট,কার্বন উত্স হিসাবে হীরা গুঁড়া বা গ্রাফাইট-হীরা গুঁড়া ব্যবহার করা হয় , উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ চাপ, ধাতু অনুঘটক, ইত্যাদির বৃদ্ধির পরিবেশে গঠিত ইকোয়্যাক্স ক্রিস্টাল সিস্টেম।উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ চাপ পদ্ধতি ব্যবহার করে 20 ক্যারেট চাষকৃত হীরা তৈরি করতে মাত্র কয়েক সপ্তাহ সময় লাগে.

বৃদ্ধির প্রক্রিয়াটি হ'ল শীর্ষ প্রেসের বৃদ্ধির চেম্বারের উচ্চ তাপমাত্রা অঞ্চলে একটি কার্বন উত্স হিসাবে উচ্চ বিশুদ্ধতার গ্রাফাইট স্থাপন করা এবং নিম্ন তাপমাত্রা অঞ্চলে হীরা বীজ স্থাপন করা।একটি নির্দিষ্ট তাপমাত্রা গ্রেডিয়েন্ট দ্বারা চালিত, কার্বন উৎস উচ্চ তাপমাত্রায় উচ্চ ঘনত্ব এলাকা থেকে কম তাপমাত্রায় কম ঘনত্ব এলাকা diffuses।নিম্ন তাপমাত্রা এলাকায় ডায়মন্ড বীজ supersaturated এবং crystallized হয়, তারপর ঠান্ডা এবং বের করা হয়, এবং ঘনীভূত নাইট্রিক অ্যাসিড ব্যবহার করা হয় হীরা পৃষ্ঠের অমেধ্য অপসারণ করতে।

সিভিডি প্রযুক্তিঃসাধারণত উচ্চ তাপমাত্রার প্লাজমার কার্যক্রমের অধীনে, কার্বনযুক্ত গ্যাস বিচ্ছিন্ন হয় এবং একটি হীরা ফিল্ম গঠনের জন্য কার্বন পরমাণুগুলি স্তরটিতে জমা হয়।একক স্ফটিক হীরা সাধারণত হীরা স্তর উপর কার্বন পরমাণুর জমা দ্বারা গঠিত হয়কার্বন ধারণকারী গ্যাস সাধারণত নাইট্রোজেন, মিথেন এবং হাইড্রোজেন ধারণকারী মিশ্র গ্যাসকে বোঝায়। মিথেন হীরা সংশ্লেষণে কার্বন পরমাণুর উত্স।নাইট্রোজেন বৃদ্ধির হার বাড়াতে পারে, এবং হাইড্রোজেন গ্রাফাইট গঠনের প্রতিরোধ করতে পারে। সাধারণত সিভিডি সিন্থেটিক ডায়মন্ড কম চাপ এবং উচ্চ তাপমাত্রা অবস্থার অধীনে সম্পন্ন করা হয়,চাপ সাধারণত এক বায়ুমণ্ডলের কম হয়, এবং তাপমাত্রা প্রায় 1 000 °C।

উপরে যা বলা হয়েছে তা থেকে আমরা একটি সিদ্ধান্ত নিতে পারিঃ উভয় প্রযুক্তির নিজস্ব সুবিধা রয়েছে। এইচটিএইচপি এর দক্ষতা বেশি এবং রঙও ভালো। এবং সিভিডি এর বিশুদ্ধতা বেশি. ১ ক্যারেট চাষকৃত খাঁটি হীরা উৎপাদন, কারণ উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ চাপ (এইচটিএইচপি) কার্বন পরমাণু এবং কার্বন পরমাণুর সংযোগ দ্বারা গঠিত হয়,তাই বৃদ্ধি চক্র মাত্র কয়েক দিন সময় লাগে. রাসায়নিক বাষ্প জমা (সিভিডি) বীজের ওয়েফারে কার্বনযুক্ত গ্যাসকে বিচ্ছিন্ন করে এবং বৃদ্ধি করে এবং ধীরে ধীরে জমা হয় এবং জমা হয়, যার জন্য কয়েক সপ্তাহের বৃদ্ধি চক্র প্রয়োজন।কারণ উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ চাপ (এইচটিএইচপি) প্রতিক্রিয়া অংশগ্রহণের জন্য একটি দ্রাবক হিসাবে একটি ধাতু অনুঘটক প্রয়োজন, এটি হীরা বিশুদ্ধতার উপর কিছু প্রভাব ফেলবে, এবং রাসায়নিক বাষ্প জমাট বাঁধার বিশুদ্ধতা (সিভিডি) কিছুটা ভাল।

ল্যাবরেটরিতে উত্পাদিত রুক্ষ হীরা বিস্তারিত